2014年7月-至今 威尼斯欢乐娱人城3328 研究员
        2012年7月-2014年7月 清华大学 博士后
        2007年9月-2012年6月 吉林大学 博士
        2002年9月-2006年6月 北华大学 本科

        光电子科学与技术

        光学工程 博士生导师

        研究生课程《材料表面测试技术》

        （1）大功率高应变半导体激光器件制备技术研究，2021.07-2024.06，吉林省科技厅重点研发项目 项目负责人
       （2）宽带宽InAs量子点MOCVD生长调控机理研究，2021.07-2024.06，重庆市自然基金面上项目 项目负责人
       （3）机械力诱导碱性物质对POPs硫丹快速降解的机理研究，2018.01-2020.12，机械力诱导碱性物质对POPs硫丹快速降解的机理研究 项目负责人

        以下为代表性论文（*通讯作者，#共同第一作者）
       （1）QuHui Wang,HaiZhu Wang*,Study on the influence of variable temperature growth on the properties of highly strained InGaAs/GaAs MQWs grown by MOCVD, Journal of Alloys and Compounds
       （2）WeiChao Liu,HaiZhu Wang*,The improvement properties of InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells using the GaAs insertion layer
       （3）Jiao Wang,HaiZhu Wang*,Effects of growth temperature and rapid thermal annealing on luminescence properties of InGaAs/GaAs multiple quantum wells
       （4）Jiao Wang,HaiZhu Wang*,Effect of localized states on the optical properties in InGaAs/GaAs multiple quantum wells grown by MOCVD
       （5）QuHui Wang,HaiZhu Wang*,Integrated fabrication of a high strain InGaAs/GaAs quantum well structure under variable temperature and improvement of properties using MOCVD technology
       （6）Bin Zhang,HaiZhu Wang*,Effect of GaAs insertion layer on the properties improvement of InGaAs/AlGaAs multiple quantum wells grown by metal-organic chemical vapor deposition
       （7）ZhiFang He,HaiZhu Wang*,The effect of unintentional carbon incorporation on the electrical properties of AlGaAs grown by MOCVD
       （8）Chunge Hou,HaiZhu Wang*,Tailoring strain and lattice relaxation characteristics in InGaAs/GaAsP multiple quantum wells structure with phosphorus doping
       以下为代表性专利
       （1）王海珠、王曲惠、范杰、邹勇刚、马晓辉、石琳琳，一种量子阱结构及其生长方法

        吉林省光学工程学会会员