唐吉龙，民主建国会理工总支部委员，博士，研究员，博士生导师，研究方向为“光电子技术与应用”，主要从事于中红外半导体材料、器件及应用方面研究。2000年本科毕业于长春光学精密机械学院；2003年硕士毕业于威尼斯欢乐娱人城3328；2010年获威尼斯欢乐娱人城3328光学工程工学博士学位。2017博士后出站，同年受聘博士生导师。
        近五年已培养2名青年教师获得国家自然科学基金青年基金资助；已培养博士毕业青年教师1名，已培养王大珩光学奖1名，省优秀硕士毕业生2名，校优秀博士毕业生1名，校优秀硕士毕业4名。

        光电子技术与应用

        光学工程 博士生导师

        承担了国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金重大仪器专项，科工局项目，总装预研基金，吉林省科技厅等国家、省部级项目14项，攻克了中红外半导体激光器及芯片的技术瓶颈难题，实现了中红外半导体激光器的国产化，经鉴定器件核心指标达到国际先进水平，相应成果“中长波半导体激光芯片关键技术及应用开发”获2021年吉林省科学技术进步一等奖。作为骨干参与国家、省部级科研项目20余项。
        1. 国家自然科学基金委重大科研仪器专项“THz集成系统近场信息扫描仪”， 2021.1.1-2025.12.31；
        2. 国家自然科学基金-面上项目“3-5μm波段W型InAs/GaInSb量子阱材料及器件研究”，2016.1~2019.12；
        3. 吉林省自然科学基金“锑化物W型量子阱材料及其在中红外激光器中的应用研究”，2016.1~2018.12；
        4. 吉林省科技厅重大科技招标专项“大气污染气体激光检测系统的研制”，2016.1~2018.12；
        5. 吉林省发改委项目“高功率锑化物量子阱激光器泵浦光源研究与开发”，2014.10.1~2016.12.31；
        6. 吉林省教育厅项目“P型Cu2O薄膜δ掺杂及其异质结光伏特性研究”，2015.1~2017~12；
        7. 吉林省科技厅项目“Si量子点敏化ZnO/P3HT复合材料太阳能电池”，2012.1~2015.7；
        8. 吉林省教育厅项目“低维ZnO合金材料的制备及光学特性研究”，2011.1~2014.12；
        9. 吉林省科技厅项目“Si掺杂类金刚石膜的研究”，2010.10~2015.12。

        以基础性技术为研究重点，突破了多元合金、微纳结构、掺杂精确调控等关键技术，揭示了界面态、相变、应变对发光机制的影响，提高材料光电性能。该方面内容发表学术论文10余篇，其中，2018年发表在（Appl. Phys. Lett.）的“Optical properties of quasi-type-II structure in GaAs/GaAsSb/GaAs coaxial single quantum-well nanowires”他引高达百次，本人为通讯作者；2020年发表在(Nano Letters) 的 ESI高被引论文，本人在材料结构优化设计的前提下，成功外延制备出高性能GaAs基纳米结构，为该学术成果奠定坚实的材料基础。2018年获吉林省自然科学学术成果二等奖。近5年发表学术论文40余篇，其中，以通讯作者发表学术论文25篇，SCI检索17篇，二区9篇，EI检索8篇，卓越期刊5篇。
        1. Influence of atom segregation on the structure and luminescence of InGaAsSb/AlGaAsSb multiple quantum wells，Journal of Luminescence，2022，SCI/二区；
        2. Si doping-induced phase control, formation of p-type and n-type GaAs nanowires，Vacuum，2022，SCI/二区；
        3. Synthesis and characterization of kinked GaAs nanowires by Sb surfactant，Vacuum，2022，SCI/二区；
        4. Structural and optical properties of Be-doped high-quality self-catalyzed GaAs nanowires，Optical Materials Express，2021，SCI/二区；
        5. Effect of Rapid Thermal Annealing on the Emission Properties in InGaAsSb/AlGaAsSb Multiple Quantum Wells，Phys. Status Solidi RRL，2021，SCI/二区；
        6. Investigation of localized state emissions in quaternary InGaAsSb/AlGaAsSb multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy，Optical Materials Express，2020，SCI/二区；
        7. Structural and spectroscopy characterization of coaxial GaAs/GaAsSb/GaAs single quantum well nanowires fabricated by molecular beam epitaxy，CrystEngComm，2019，SCI/二区；
        8. Optical properties improvement of GaSb epilayers through defects compensation via doping，Journal of Luminescence，2018，SCI/二区；
        9. Optical properties of quasi-type-II structure in GaAs/GaAsSb/GaAs coaxial single quantum-well nanowires，Appl. Phys. Lett.，2018，SCI/二区。
        近五年申请国家发明专利20项，授权发明专利13项。
        1. 国家发明专利，一种低应力高导热半导体衬底及其制备方法，授权时间，2021.7.6，授权号：CN 111082307 B；
        2. 国家发明专利，一种高导热率半导体衬底及其制备方法和应用，授权时间，2021.7.6，授权号：CN 111009497 B；
        3. 国家发明专利，一种基于量子点修饰的纳米线探测器，授权时间，2020.11.3，授权号：CN 109560163 B；
        4. 国家发明专利，用分子束外延(MBE)在GaSb衬底上无催化制备Gasb纳米线的方法，授权时间，2019.4.30，授权号：CN 106785915 B；
        5. 国家发明专利，一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法，授权时间，2021.7.6，授权号：CN 104638517 B；
        6. 国家发明专利，一种窄线宽半导体激光器，授权时间，2020.12.22，授权号：CN 108054634 B；
        7. 国家发明专利，一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法，授权时间，2020.7.14，授权号：CN 108470674 B；
        8. 国家发明专利，一种垂直腔面发射半导体激光器制备方法，授权时间，2020.5.15，授权号：CN 107069423 B；
        9. 国家发明专利，一种量子点带间级联激光器，授权时间，2019.9.27，授权号：CN 105977788 B；
        10. 国家发明专利，一种半导体光放大器，授权时间，2019.12.10，授权号：CN 106785915 B；
        11. 国家发明专利，一种纳米线阵列器件的制备方法，授权时间，2020.11.3，授权号：CN 109534279 B；
        12. 国家发明专利，一种钙钛矿微型激光器的制备方法，授权时间，2019.9.27，授权号：CN 109193327 B；
        13. 国家发明专利，一种发光效率增强的半导体激光器，授权时间，2019.9.27，授权号：CN 106410605 B。