薄报学 部门:高功率半导体激光重点实验室 职称/职务: 电话号码:0431-85583389 个人邮箱:bbx AT cust.edu.cn 通讯地址:长春市卫星路7186号 理工科技大厦A座309 邮政编码:130022
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个人介绍
        学习简历: 1982-1989:吉林大学半导体系,半导体物理与器件专业,本科/硕士研究生 1999-2002: 吉林大学电子工程学院,微电子学与固体电子学专业,博士研究生 工作简历: 1989-2002: 威尼斯欢乐娱人城3328半导体激光实验室,助教/讲师/副教授/教授/博导 2002-2003: 新加坡南洋理工大学,Research Fellow 2003-现在: 威尼斯欢乐娱人城3328高功率半导体激光国家重点实验室,研究员,博导 获国家、省部级科技成果奖7项;发表学术论文150余篇。
研究方向
        高功率半导体激光器设计、工艺与特性评价
导师类别
        光学工程 博士生导师
科学研究
        国家自然基金项目 基于扩展透明窗口的1.06um波长高功率、高阶DFB单模半导体激光器研究,2018-2021 吉林省科技发展计划项目976nm高功率半导体激光器芯片关键技术研究,2019-2021
论文专利
        发表学术论文150余篇、授权国家发明专利12项。

        Qiao, ZL et al., High-performance 1.06-um InGaAs/GaAs double-quantum-well semiconductor lasers with asymmetric heterostructure layers, Semicon.Sci. and Technol. 34(5),2019
        Qiao, ZL et al.,Monolithic Fabrication of InGaAs/GaAs/AlGaAs Multiple Wavelength Quantum Well Laser Diodes via Impurity-Free Vacancy Disordering Quantum Well Intermixing, IEEE J. Electron Devices Soc.,5(2),2017
        Zhou, Lu et al.,Facet Passivation of GaAs based LDs by N2 plasma pretreatment and RF sputtered AlxNyfilm coating, J. Lightwave Technol., 31(13),2013
        Gao Xin et al.,Fabrication of high power, high-efficiency linear array diode lasers by pulse anodic oxidation, Japanese J. Appl. Phys.,45(9A),2006
        Bo,Baoxue, Rhombus-like stripe BA InGaAs-AlGaAs-GaAs lasers, IEEE Photon. Technol. Lett., 16(5),2004
联系方式
电话:0431-85582246(学院办公室)
电话:0431-85582874(研究生秘书办公室)
电话:0431-85582875(中英合作办学办公室)
E-MAIL:gdgc@cust.edu.cn

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